Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R

Abstract

У даній роботі наведено нові дані часового коливання параметрів комірок пам’яті таких, як порогова напруга Un та опір аморфної фази R. Отримані результати доповнюють інформацію про відхилення робочих параметрів пам’яті РСМ. Показано залежність порогової напруги Un і опору аморфної фази R від часу t.

In this paper, new data is given on the time variation of memory cell parameters such as threshold voltage Un and resistance of amorphous phase R. These results supplemente the information on the deviation of the working parameters of the memory of the PCM. The dependence of the threshold voltage Un and resistance of the amorphous phase R on time t is shown.