dc.contributor.author | Довгун, В. О. | uk |
dc.contributor.author | Бєлов, В. С. | uk |
dc.date.accessioned | 2025-03-13T13:34:18Z | |
dc.date.available | 2025-03-13T13:34:18Z | |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier.citation | Довгун В. О. Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури [Електронний ресурс] / В. О. Довгун, В. С. Бєлов // Тези доповідей Всеукраїнської науково-практичної Інтернет-конференції студентів, аспірантів та молодих науковців «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи» (МН-2019), м. Вінниця, 11-30 травня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2019/paper/view/6182. | uk |
dc.identifier.uri | https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/44678 | |
dc.description.abstract | Проведено аналіз експерементального дослідження перехідних характеристик двозатворного МДН транзистору. Побудовані графіки залежностей перехідних характеристик при різних видах керування переходами. | uk |
dc.description.abstract | The analysis of the experimental study of transient characteristics of a two-gate MOS transistor is carried out. Constructed graphs of dependencies of transient characteristics for different types of transition control. | en |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.relation.ispartof | Тези доповідей Всеукраїнської науково-практичної Інтернет-конференції студентів, аспірантів та молодих науковців «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи» (МН-2019), м. Вінниця, 11-30 травня 2019 р. | uk |
dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2019/paper/view/6182 | |
dc.subject | MOSFET | uk |
dc.subject | transistor | uk |
dc.subject | characteristic | uk |
dc.subject | source | uk |
dc.subject | gate | uk |
dc.subject | drainВступМДН-транзистор — напівпровідниковий прилад | uk |
dc.subject | що як базовий фізичний принципвикористовує ефект поля Типовий МДН-транзистор складається з МДН-структури | uk |
dc.subject | та двох | uk |
dc.title | Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури | uk |
dc.type | Thesis | |
dc.identifier.udc | 681.12 | |
dc.relation.references | .. , .. | |