| dc.contributor.author | Малюк, О. С. | uk |
| dc.contributor.author | Мартинюк, В. В. | uk |
| dc.contributor.author | Maliuk, O. S. | en |
| dc.contributor.author | Martyniuk, V. V. | en |
| dc.date.accessioned | 2026-09-03T10:27:33Z | |
| dc.date.available | 2026-09-03T10:27:33Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.identifier.citation | Малюк О. С., Мартинюк В. В. Вплив технологічних варіацій на стабільність частотних CMOS сенсорів температури // Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/25896. | uk |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/52779 | |
| dc.description.abstract | У роботі досліджено вплив технологічних варіацій на стабільність частотних сенсорів температури, виготовлених за CMOS технологією. Розглянуто основні фактори, що спричиняють зміни характеристик сенсорів, зокрема варіації порогових напруг транзисторів, геометричних параметрів та паразитних ємностей. | uk |
| dc.description.abstract | The paper investigates the impact of technological variations on the stability of frequency-based CMOS temperature sensors. Key influencing factors such as threshold voltage shifts, geometric mismatches, and parasitic capacitances are analyzed. Compensation methods including differential architectures, digital calibration, and deep-well isolation techniques are discussed. Simulation results show that compensation schemes can improve frequency stability to within ±0.25 % across the temperature range. The prospects of using such sensors in industrial and biomedical temperature monitoring systems are considered. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. | uk |
| dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/25896 | |
| dc.subject | CMOS сенсор температури | uk |
| dc.subject | технологічні варіації | uk |
| dc.subject | стабільність | uk |
| dc.subject | частотний генератор | uk |
| dc.subject | CMOS temperature sensor | en |
| dc.subject | technological variations | en |
| dc.subject | stability | en |
| dc.subject | frequency generator | en |
| dc.subject | calibration | en |
| dc.title | Вплив технологічних варіацій на стабільність частотних CMOS сенсорів температури | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 621.38 | |
| dc.relation.references | 1. El-Zarif N., Rizk M., Nawaf F. Calibration of ring oscillator-based integrated temperature sensors for power management systems. Sensors. – 2024. – Vol. 24, No. 2. – P. 440. DOI: https://doi.org/10.3390/s24020440. 2. Rinaldi, N. et al. A 4H-SiC CMOS Oscillator-Based Temperature Sensor Operating from 298 K up to 573 K. Sensors, 2023, 23(24), 9653. .DOI: https://doi.org/10.3390/s23249653 3. Xu, Z. et al. A Temperature-to-Frequency Converter-Based On-Chip Temperature Sensor with an Inaccuracy of +0.65 C/-0.49 C. Micromachines, 2023. https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC10255605/ 4. Meng, T., Xu, C. A Cross-Coupled-Structure-Based Temperature Sensor with Reduced Process Variation Sensitivity. Journal of Semiconductors, 2009, 30(4), 045002. DOI: https://doi.org/10.1088/1674-4926/30/4/045002 5. Lau, Y.Y. et al. A Trimming-Free, Sub-1 W CMOS Smart Temperature Sensor for IoT Applications. IEEE Sensors Journal, 2022. DOI: https://doi.org/10.1109/JSEN.2022.3225870 | en |
