Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі

Abstract

Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення з різними схемами його включення і дозволяє зменшити вплив частини елементів корпуса і пасивної області кристала. Аналіз структури двозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ2) показав, що його можна розглядати як два однозатворних ПТШ1, стік одного з яких з'єднаний із джерелом другого ПТШ. Це дозволяє ставити задачу поширення способу визначення параметрів однозатворних ПТШ, на визначення ряду параметрів фізичної еквівалентної схеми двозатворних ПТШ.

Обоснован способ определения параметров эквивалентной схемы активной области кристалла однозатворного полевого транзистора Шоттки (ПТШ1) базирующийся на результатах измерения коэффициента максимального устойчивого усиления при различных схемах его включения и позволяющей уменьшить влияние части элементов корпуса и пассивной области кристалла. Анализ структуры двухзатворного полевого транзистора Шоттки (ПТШ2) показал, что его можно рассматривать как два однозатворных ПТШ1, сток одного из которых соединен с истоком второго ПТШ. Это позволяет ставить задачу распространения способа определения параметров однозатворных ПТШ на нахождение ряда параметров физической эквивалентной схемы двухзатворных ПТШ.

The paper considers the method intended for determination of equivalent circuit parameters of active region of single-gate MESFET (MESFET1) crystal. The method is based on the results of measurement of maximal steady amplification factor at different schemes of its turning on, enabling to decrease the influence of part of case elements and passive area of the crystal.