| dc.contributor.author | Котовський, Р. Р. | uk |
| dc.contributor.author | Kotovskyi, R. | en |
| dc.date.accessioned | 2026-09-03T10:34:49Z | |
| dc.date.available | 2026-09-03T10:34:49Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.identifier.citation | Котовський Р. Р. Тунельний ефект та його застосування в сучасній електроніці // Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/29426. | uk |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/53119 | |
| dc.description.abstract | Розглядаються фізичні принципи квантового тунелювання електронів, що використовуються в наноелектроніці. Проаналізовано математичну залежність ймовірності тунелювання від параметрів потенціального бар'єра, наведено класифікацію та приклади застосування явища в сучасних напівпровідникових приладах. Описано перспективи використання тунельного ефекту для подальшої мініатюризації обчислювальних систем та розвитку квантових технологій. | uk |
| dc.description.abstract | The physical principles of quantum tunneling of electrons used in nanoelectronics are considered. The mathematical dependence of tunneling probability on the potential barrier parameters is analyzed, and the classification and examples of the phenomenon application in modern semiconductor devices are provided. The prospects of using the tunneling effect for further miniaturization of computing systems and the development of quantum technologies are described. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. | uk |
| dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/29426 | |
| dc.subject | тунельний ефект | uk |
| dc.subject | квантове тунелювання | uk |
| dc.subject | нанотехнології | uk |
| dc.subject | тунельний транзистор | uk |
| dc.subject | флешпам'ять | uk |
| dc.subject | кубіт | uk |
| dc.subject | tunnel effect | en |
| dc.subject | quantum tunneling | en |
| dc.subject | nanotechnology | en |
| dc.subject | tunnel field-effect transistor | en |
| dc.subject | flash memory | en |
| dc.subject | qubit | en |
| dc.title | Тунельний ефект та його застосування в сучасній електроніці | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 621.38:530.145 | |
| dc.relation.references | 6. Азаренков М. О., Неклюдов І. М., Воєводін В. М. Вступ до наноматеріалознавства та нанотехнологій. — Харків : ХНУ імені В. Н. Каразіна, 2019. — 312 с. Борисенко В. Є., Данилюк О. Л. Наноелектроніка : навч. посіб. — Київ : Вища школа, 2021. — 245 с. Seabaugh A. C., Zhang Q. Low-Voltage Tunnel Field-Effect Transistors // Proceedings of the IEEE. — 2010. — Vol. 98, No. 12. — P. 2095–2110. Ionescu A. M., Riel H. Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches // Nature. — 2011. — Vol. 479. — P. 329–337. Коваль І. П., Мельник П. В. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки : підручник. — Київ : ВПЦ "Київський университет", 2022. — 410 с. Lundstrom M. Fundamentals of Nanotransistors. Dynamic bucketing and quantum transport. — New Jersey : World Scientific Publishing, 2017. — 280 p. | en |
