Фізико-математичне моделювання та розрахунок критичних параметрів технологічних етапів формування наночипів

Abstract

Розглянуто послідовність фізико-хімічних процесів, що застосовуються при створенні сучасних напівпровідникових наночипів. Детально описано етапи вирощування монокристалічного кремнію, термічного окислення, фотолітографії, плазмового травлення та іонної імплантації. Наведено фізичні принципи, які забезпечують формування наноструктур на кожному технологічному етапі.

The physical model of the sequence of technological processes for the creation of semiconductor nanochips has been expanded. Mathematical models and analytical calculations are presented for key stages: the rate of crystal growth by the Czochralski method, oxidation kinetics using the Deal-Grove model, optical limitations of EUV lithography, impurity distribution profile during ion implantation, and calculation of the Equivalent Oxide Thickness (EOT) for