Метод побудови широкосмугового двотактного підсилювача постійного струму на відбивачах стуму
Abstract
У представленому фундаментальному дослідженні здійснено вичерпний та багаторівневий аналіз структурнофункціональної організації новітньої архітектури двотактних підсилювачів постійного струму (ДППС), побудованих з використанням складних внутрішніх контурів вибіркового зворотного зв’язку та вдосконалених багатовузлових відбивачів струму.[1, 1] Дослідження охоплює глибокий теоретичний огляд еволюції транзисторних підсилювальних трактів, починаючи від базових симетричних архітектур і закінчуючи найсучаснішими топологіями, здатними функціонувати в умовах інтенсивних синфазних завад та флуктуацій напруги живлення. На основі теорії нелінійних електричних кіл наведено деталізований опис статичної передатної характеристики, а також проаналізовано відповідні похибки лінійності в умовах температурних дрейфів. Отримано комплексне пояснення динамічних характеристик базових схем двотактних підсилювачів постійного струму з урахуванням паразитних ємностей корпусів та ефектів деградації напівпровідникових структур. Доведено, що впровадження спеціалізованого блоку балансування підсилення струмів дозволяє повністю нейтралізувати вплив напруги живлення на похибку зсуву нуля, що відкриває безпрецедентні можливості для використання розробленої архітектури як прецизійних буферних каскадів у високошвидкісних багаторозрядних аналого-цифрових перетворювачах (АЦП) та оптико-електронних інформаційних технологіях. This fundamental research presents an exhaustive and multi-level analysis of the structural and functional organization of a novel architecture for two-stroke (push-pull) direct current amplifiers (DPPS), constructed using complex internal selective feedback loops and advanced multi-node current reflectors.[1, 1] The study encompasses a deep theoretical review of the evolution of transistor amplification paths, from basic symmetrical architectures to state-of-the-art topologies capable of functioning under intense common-mode interference and power supply voltage fluctuations. Based on the theory of nonlinear electrical circuits, detailed descriptions are provided for the static transfer characteristic and the corresponding linearity errors under thermal drift conditions. A comprehensive explanation for analyzing the dynamic characteristics of basic DPPS circuits is obtained, taking into account package parasitic capacitances and semiconductor degradation effects.
URI:
https://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/54316

