Підвищення ефективності передавача станції активних завад Л-203Б літака МіГ-29
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
В даній тезі запропоновано один з варіантів підвищення ефективності систем радіоелектронної боротьби, а саме станції активних завад Л-203Б, що дозволить покращити технічні характеристики станції та в цілому вплине на якість роботи та експлуатацію виробу.
This thesis proposes one of the options for increasing the effectiveness of electronic warfare systems, and the station of active radio-frequency interferences L-203B, which will allow improving the technical characteristics in the station and in general will affect the quality of work and operation of the product.
This thesis proposes one of the options for increasing the effectiveness of electronic warfare systems, and the station of active radio-frequency interferences L-203B, which will allow improving the technical characteristics in the station and in general will affect the quality of work and operation of the product.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Жук В. В., Корепанов В. В., Дігтярь М. М., Козлова А. Г. Підвищення ефективності передавача станції активних завад Л-203Б літака МіГ-29 // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-технічної інтернет-конференції «Актуальні проблеми бойового застосування та експлуатації і ремонту зразків озброєння та військової техніки», Вінниця, 15-16 листопада 2023 р. Електрон. текст. дані. 2023. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/apozbt/apozbt2023/paper/view/19294.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (9)
- Belous, O.I. & Anatoliy, Kirilenko & Natarov, M. & Sirenko, Svitlana & Fisun, A. & Shubny, A.. (2018). Quasioptical millimeter wave solid-state generator. RADIOFIZIKA I ELEKTRONIKA. 23. 67-94. 10.15407/rej2018.04.067.
- Бондаренко І.М. Мікроелектроніка НВЧ. Ч.2. Напівпровідникові елементи та пристрої НВЧ: навч. посібник для студентів ЗВО. – Харків: ХНУРЕ, 2019. – 172 с.
- Waliwander T., Fehilly M., O'Brien E. An ultra-high efficiency high power Schottky varactor frequency doubler to 180–200 GHz //2016 Global Symposium on Millimeter Waves (GSMM) & ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications. – IEEE, 2016. – С. 14.
- Runton D. W. et al. History of GaN: High-power RF gallium nitride (GaN) from infancy to manufacturable process and beyond //IEEE Microwave Magazine. – 2013. – Т. 14. – №. 3. – С. 82-93.
- Waltereit P. et al. GaNbased high voltage transistors for efficient power switching //physica status solidi c. – 2013. – Т. 10. – №. 5. – С. 831-834.
- Zhang B. et al. A novel 220-GHz GaN diode on-chip tripler with high driven power //IEEE Electron Device Letters. – 2019. – Т. 40. – №. 5. – С. 780-783.
- Liang S. et al. A 177–183 GHz high-power GaN-based frequency doubler with over 200 mW output power //IEEE Electron Device Letters. – 2020. – Т. 41. – №. 5. – С. 669-672.
- Liu H. et al. 120 GHz Frequency-Doubler Module Based on GaN Schottky Barrier Diode //Micromachines. – 2022. – Т. 13. – №. 8. – С. 1172.
- Schuh P. et al. GaN-based amplifiers for wideband applications //International journal of microwave and wireless technologies. – 2010. – Т. 2. – №. 1. – С. 135-141.