Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора

Abstract

Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована стійкість вимірювальної установки при вимірюванні параметрів потенційно нестійкого одноперехідного транзистора, що веде до зниження похибок визначення.

Предложен экспериментальный метод определения параметров однопереходного транзистора. Преимуществом способа является ослабленное влияние на результаты измерений индуктивности выводов и межэлектродных емкостей, а также гарантированная стойкость измерительной установки при измерении параметров потенциально неустойчивого однопереходного транзистора, что ведет к снижению погрешностей определения.

The experimental method of determination of parameters of unijunction transistor is offered. Advantage of method is hyposthenic influence on the results of measurings of inductances of outputs and interelectrode capacities, and the stability of the measuring setting at measuring of parameters of potentially non-stable unijunction transistors, that leads to reduction of error determination.