Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу
Author
Ліщинська, Л. Б.
Барабан, М. В.
Філинюк, М. А.
Date
2010Metadata
Show full item recordCollections
Abstract
Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та польового транзисторів й розроблено рекомендації з їх зменшення. Разработана теория оценки погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса, проведена сравнительная оценка погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса на базе однопереходного, биполярного, полевого транзисторов и разработаны рекомендации по их уменьшению. The theory of estimation of transformation errors of one-chip immittance converters is developed. The comparative assessment of transformation errors of one-chip immittance converters is conducted on the base of unijunction, bipolar and field-effect transistors, suggestions for their reduction are given.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/1622
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/6171