Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури

Abstract

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури належить до контрольно-вимірювальної техніки. Пристрій містить польовий транзистор з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, перше і друге джерела напруги, біполярний транзистор, перший і другий конденсатори та резистор. Затвор польового транзистора з'єднаний з першим джерелом напруги, яке з'єднане також із колектором біполярного транзистора з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, емітер якого та витік польового транзистора з'єднані між собою. База біполярного транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднана зі стоком польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема, емітер біполярного транзистора і перший конденсатор. База біполярного транзистора також з'єднана з першим конденсатором і резистором, а його колектор - з резистором, другим конденсатором та другим джерелом напруги. Другий конденсатор з'єднаний з другим джерелом напруги, колектором біполярного транзистора з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання і першим джерелом напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Пристрій забезпечує підвищення чутливості і точності вимірювання.

Устройство содержит полевой транзистор с напыленными на затвор пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, биполярный транзистор с напыленной на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, первый и второй источники напряжения, биполярный транзистор, первый и второй конденсаторы и резистор. Затвор полевого транзистора соединен с первым источником напряжения, который соединено также с коллектором биполярного транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, эмиттер которого и исток полевого транзистора соединены между собой. База биполярного транзистора с напыленными пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения соединена со стоком полевого транзистора, к которому подключена первая выходная клемма, эмиттер биполярного транзистора и первый конденсатор. База биполярного транзистора также соединена с первым конденсатором и резистором, а коллектор - с резистором, вторым конденсатором и вторым источником напряжения. Второй конденсатор соединен со вторым источником напряжения, коллектором биполярного транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения и первым источником напряжения, которые образовывают общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма. Устройство обеспечивает повышение чувствительности и точности измерения.

Micro-electronic device for measurement of temperature relates to control-measuring engineering. Device has field transistor with film of piroelectric sputtered on gate, and radiation absorber, bipolar transistor with film of piroelectric sputtered on base, and radiation absorber, first and second voltage sources connected to collector of bipolar transistor as well, with film of piroelectric and radiation absorber sputtered to base, emitter of that one and source of field transistor are connected to each other. Base of bipolar transistor with sputtered film of piroelectric and radiation absorber is connected to sink of field transistor to which first output terminal is connected, emitter of bipolar transistor and first capacitor. Base of bipolar transistor as connected as well to first capacitor and resistor and its collector – to resistor, second capacitor and second voltage source. Second capacitor is connected to the second voltage source, collector of bipolar transistor with film of piroelectric and radiation absorber sputtered to base, and first voltage source, those form common bus to which second output terminal is connected. Device provides increase of sensitivity and accuracy of radiation.