Мікроелектронний частотний витратомір газу
Автор
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Дата
2009-10-26Metadata
Показати повну інформаціюCollections
Анотації
Мікроелектронний частотний витратомір газу належить до контрольно-вимірювальної техніки. Пристрій складається з вимірювальної камери та двох джерел постійної напруги, які через резистори здійснюють живлення першого термочутливого, другого і третього біполярних транзисторів. Емітери першого термочутливого і другого біполярних транзисторів з’єднані між собою. Коливальний контур утворений ємнісною складовою повного опору на електродах колектор-колектор першого термочутливого і другого біполярних транзисторів та індуктивною складовою повного опору на електродах емітер-колектор третього біполярного транзистора. При проходженні газу через вимірювальну камеру, в якій розміщений перший термочутливий біполярний транзистор, змінюється його повний опір, що приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор першого термочутливого і другого біполярних транзисторів, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Пристрій забезпечує підвищення точності вимірювання витрат газу. Микроэлектронный частотный расходометр газа относится к контрольно-измерительной технике. Устройство состоит из измерительной камеры и двух источников постоянного напряжения, которые через резисторы осуществляют питание первого термочувствительного, второго и третьего биполярных транзисторов. Эмитеры первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов соединены между собой. Колебательный контур образован емкостной составляющей полного сопротивления на электродах коллектор-коллектор первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов и индуктивной составляющей полного сопротивления на электродах эмитер-коллектор третьего биполярного транзистора. При прохождении газа через измерительную камеру, в которой размещен первый термочувствительный биполярный транзистор, изменяется его полное сопротивление, что приводит к изменению емкостной составляющей полного сопротивления на электродах коллектор-коллектор первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов, а это вызывает изменение резонансной частоты колебательного контура. Устройство обеспечивает повышение точности измерения расхода газа. Microelectronic gas flow rate meter relates to control-measuring equipment. Device consists of measuring chamber and two sources of direct voltage that through resistors perform feeding of first thermo-sensitive, second and third bipolar transistors. Emitters of first thermo-sensitive and second bipolar transistors are connected to each other. Oscillatory circuit is formed by capacitor component of total resistance on electrodes collector-collator of first thermo-sensitive and second bipolar transistor and inductive component of total resistance on electrodes emitter-collector of third bipolar transistor. At gas passage through measuring chamber where first thermo-sensitive bipolar transistor is placed its total resistance is changed, this leads to change of capacity component of total resistance on electrodes collector-collector of first thermo-sensitive and second bipolar transistor, this leads to change of resonance frequency of vibrational circuit. Device provides increase of accuracy of measurement of gas flow rate.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/103