Мікроелектронний частотний витратомір газу
Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Date
2009-10-26Metadata
Show full item recordCollections
Abstract
Мікроелектронний частотний витратомір газу належить до контрольно-вимірювальної техніки. Пристрій складається з вимірювальної камери та двох джерел постійної напруги, які через резистори здійснюють живлення першого термочутливого, другого і третього біполярних транзисторів. Емітери першого термочутливого і другого біполярних транзисторів з’єднані між собою. Коливальний контур утворений ємнісною складовою повного опору на електродах колектор-колектор першого термочутливого і другого біполярних транзисторів та індуктивною складовою повного опору на електродах емітер-колектор третього біполярного транзистора. При проходженні газу через вимірювальну камеру, в якій розміщений перший термочутливий біполярний транзистор, змінюється його повний опір, що приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор першого термочутливого і другого біполярних транзисторів, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Пристрій забезпечує підвищення точності вимірювання витрат газу. Микроэлектронный частотный расходометр газа относится к контрольно-измерительной технике. Устройство состоит из измерительной камеры и двух источников постоянного напряжения, которые через резисторы осуществляют питание первого термочувствительного, второго и третьего биполярных транзисторов. Эмитеры первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов соединены между собой. Колебательный контур образован емкостной составляющей полного сопротивления на электродах коллектор-коллектор первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов и индуктивной составляющей полного сопротивления на электродах эмитер-коллектор третьего биполярного транзистора. При прохождении газа через измерительную камеру, в которой размещен первый термочувствительный биполярный транзистор, изменяется его полное сопротивление, что приводит к изменению емкостной составляющей полного сопротивления на электродах коллектор-коллектор первого термочувствительного и второго биполярных транзисторов, а это вызывает изменение резонансной частоты колебательного контура. Устройство обеспечивает повышение точности измерения расхода газа. Microelectronic gas flow rate meter relates to control-measuring equipment. Device consists of measuring chamber and two sources of direct voltage that through resistors perform feeding of first thermo-sensitive, second and third bipolar transistors. Emitters of first thermo-sensitive and second bipolar transistors are connected to each other. Oscillatory circuit is formed by capacitor component of total resistance on electrodes collector-collator of first thermo-sensitive and second bipolar transistor and inductive component of total resistance on electrodes emitter-collector of third bipolar transistor. At gas passage through measuring chamber where first thermo-sensitive bipolar transistor is placed its total resistance is changed, this leads to change of capacity component of total resistance on electrodes collector-collector of first thermo-sensitive and second bipolar transistor, this leads to change of resonance frequency of vibrational circuit. Device provides increase of accuracy of measurement of gas flow rate.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/103