Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності

Abstract

Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності належить до контрольно-вимірювальної техніки. Пристрій містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор та перше і друге джерела напруги. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. В пристрій додатково введений біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання. Причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, другий полюс якого з'єднаний із колектором біполярного транзистора. Витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднані між собою. База біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності. Другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги. При цьому другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги, колектором біполярного транзистора і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Пристрій забезпечує підвищення чутливості і точності вимірювання.

Микроэлектронное устройство для измерения тепловой мощности относится к контрольно-измерительной технике. Устройство содержит полевой транзистор, пассивную индуктивность, конденсатор и первый и второй источники напряжения. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. В устройство дополнительно введен биполярный транзистор с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения. Причем затвор полевого транзистора соединен с первым полюсом первого источника напряжения, второй полюс которого соединен с коллектором биполярного транзистора. Исток полевого транзистора и эмиттер биполярного транзистора соединены между собой. База биполярного транзистора соединена со стоком полевого транзистора, к которому подключена первая выходная клемма и первый вывод пассивной индуктивности. Второй вывод пассивной индуктивности соединен с первым выводом конденсатора и первым полюсом второго источника напряжения. При этом второй вывод конденсатора соединен со вторым полюсом второго источника напряжения, коллектором биполярного транзистора и вторым полюсом первого источника напряжения, которые образовывают общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма. Устройство обеспечивает повышение чувствительности и точности измерения.

Micro-electronic device for measurement of heat power relates to control-measuring equipment. Device includes field transistor, passive inductance, capacitor and first and second power sources. To gate of field transistor film of pyro-electric is sputtered, and emission absorber. To the device additionally is included bipolar transistor with sputtered on base film of pyro-electric and emission absorber. At that the gate of the field transistor is connected to the first pole of the first voltage source, its second pole is connected to collector of bipolar transistor. Sink of field transistor and emitter of bipolar transistor are connected to each other. Base of bipolar transistor is connected to the sink of field transistor to which first output terminal is connected, and first output of passive inductance. Second output of passive inductance is connected to the second pole of the second voltage source, collector of bipolar transistor and second pole of first voltage source, those form common bus to which second output terminal is connected. Device provides increase of sensitivity and accuracy of measurement.