Мікроелектронний сенсор оптичної потужності

Abstract

Винахід належить до засобів контрольно-вимірювальної техніки, зокрема мікроелектронних сенсорів оптичної потужності для автоматичного керування технологічними процесами. Мікроелектронний сенсор оптичної потужності містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор. Сенсор додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу кожного з яких задовольняє певному співвідношенню, та формування непрозорого затворного електрода із алюмінію, а також друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з затворним електродом першого МДН-фототранзистора, стік якого підключений до першого виводу першого конденсатора, витоку та затворного електрода другого МДН-фототранзистора і затворного електрода третього МДН-фототранзистора, який з’єднаний з першою вихідною клемою, при цьому витік першого МДН-фототранзистора з'єднаний з витоком і підкладкою третього МДН-фототранзистора, а другий вивід першого конденсатора з'єднаний з підкладкою другого МДН-фототранзистора і першим виводом резистора, другий вивід резистора з'єднаний зі стоком другого МДН-фототранзистора, першим виводом другого конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги підключений до другого виводу другого конденсатора, стоку третього МДН-фототранзистора і другого полюса першого джерела постійної напруги через спільну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Винахід забезпечує підвищення чутливості, точності і розширення меж вимірювання оптичної потужності .

Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной техники, в частности микроэлектронным сенсорам оптической мощности для автоматического управления технологическими процессами. Микроэлектронный сенсор оптической мощности содержит источник постоянного напряжения, МДП-фототранзистор, два конденсатора и резистор. Сенсор дополнительно содержит второй и третий МДП-фототранзисторы, при этом все МДП-фототранзисторы выполнены путем создания с обратной стороны подложки под областью канала глубоких пазов, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет определенному соотношению, и формирования непрозрачного затворного электрода из алюминия, а также второй источник постоянного напряжения, причем первый полюс первого источника постоянного напряжения соединен с затворным электродом первого МДП-фототранзистора, сток которого подключен к первому выводу первого конденсатора, истоку и затворному электроду второго МДП-фототранзистора и затворному электроду третьего МДП-фототранзистора, который соединен с первой выходной клеммой, при этом исток первого МДП-фототранзистора соединен с истоком и подкладкой третьего Мдн-фототранзистора, а второй вывод первого конденсатора соединен с подложкой второго МДП-фототранзистора и первым выводом резистора, второй вывод резистора соединен со стоком второго МДП-фототранзистора, первым выводом второго конденсатора и первым полюсом второго источника постоянного напряжения, при этом второй полюс второго источника постоянного напряжения подключен к второму выводу второго конденсатора, стоку третьего МДП-фототранзистора и второму полюсу первого источника постоянного напряжения через общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, точности и расширение границ измерения оптической мощности.

The invention relates to means of control-measuring equipment, in particular to micro-electronic sensors of optical power for automated control of technological processes. Micro-electronic sensor of optical power includes source of direct voltage, MIS-photo-transistor, two capacitors and resistor. Sensor additionally includes second and third MIS-phototransistors, at that all the MIS photo-transistors are made through formation at back side of sublayer under region of channel of deep slots area of cross section of each of which satisfies given ratio, and formation of opaque gate electrode of aluminum, and second source of direct voltage, at that the first pole of first source of direct voltage is connected to gate electrode of the first MIS photo-transistor sink of which is connected to the first output of the first capacitor, sink and gate electrode of the second MIS photo-transistor and gate electrode of the third MIS-phototransistor that is connected to the first output terminal, at that source of the first MIS photo-transistor is connected to sink and sublayer of the third MIS photo-transistor and the second output of the first capacitor is connected to the sublayers of the second MIS photo-transistor, first output of the second capacitor and first pole of the second source of direct voltage, at that the second pole of the second source of direct voltage is connected to the second output of the second capacitor, sink of the third MIS photo-transistor and second pole of the first source of direct voltage through common bus to which second output terminal is connected. The invention provides increase of sensitivity, accuracy and increase of limits of measuring optical power.