Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання

Abstract

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання містить два джерела постійної напруги, МДН-транзистор, два МДН-фототранзистори з непрозорим затворним електродом, у яких зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A<S/n, де S - площа каналу, n - число пазів, послідовне коло, яке утворено першим конденсатором і резистором і яке підключено паралельно стоку і витоку МДН-транзистора, другий конденсатор, який підключено паралельно другому джерелу постійної напруги.

Микроэлектронное устройство для измерения оптического излучения содержит два источника постоянного напряжения, МДН-транзистор, два МДН-фототранзистора с непрозрачным затворным электродом, в которых с обратной стороны подкладки под областью канала выполнены глубокие пазы, площадь сечения каждого из которых А удовлетворяет следующему соотношению: A<S/n, где S - площадь канала, n - число пазов, последовательную цепь, которая образована первым конденсатором и резистором и которая подключена параллельно стоку и истоку МДН-транзистора, второй конденсатор, который подключен параллельно второму источнику постоянного напряжения.

Microelectronic device for measurement of optical radiation includes two sources of direct voltage, MDN-transistor, two MDN-phototransistors with opaque gate electrode where at back side of sublayer under region of channel deep slots are arranged, cross section of each of those A satisfies following ratio: A<S/n,, where S – area of channel? N – number of slots, serial circuit formed with first capacitor and resistor, connected in parallel to sink and source of MDN transistor, second capacitor that is connected in parallel to the second source of direct voltage.