Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorКравченко, Юрій Степановичuk
dc.contributor.authorСавицький, Антон Юрійовичuk
dc.contributor.authorКравченко, Юрий Степановичru
dc.contributor.authorСавицкий, Антон Юрьевичru
dc.contributor.authorKravchenko, Yurii Stepanovychen
dc.contributor.authorSavytskyi, Anton Yuriiovychen
dc.date.accessioned2016-05-27T12:33:26Z
dc.date.available2016-05-27T12:33:26Z
dc.date.issued2008-04-10
dc.identifier31602
dc.identifier.citationПат. 31062 UA, МПК H01L 21/302. Спосіб плазмохімічної обробки матеріалів [Текст] / Ю. С. Кравченко, А. Ю. Савицький (Україна). - № u200714875 ; заявл. 27.12.2007 ; опубл. 10.04.2008, Бюл. № 7. - 2 с. : іл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/11414
dc.description.abstractСпосіб плазмохімічної обробки матеріалів полягає у травленні напівпровідникових пластин, що проводять в циліндричному реакторі, в якому плазму ВЧ-розряду збуджують при пониженому тиску плазмоутворюючого газу шляхом створення в реакторі високочастотного електричного поля напруженістю Е, яке зумовлює появу хімічно активних частинок плазми концентрацією N, пластини розташовують у спеціальних касетах на відстані h одна від одної. Крім того, відстань h між пластинами визначають пропорційно зміні співвідношення E/N.uk
dc.description.abstractСпособ плазмохимической обработки материалов состоит в травлении полупроводниковых пластин, которые проводят в цилиндрическом реакторе, в котором плазму ВЧ-разряда возбуждают при пониженном давлении плазмообразующего газа путем образования в реакторе высокочастотного электрического поля напряженностью Е, которое обуславливает появление химически активных частиц плазмы с концентрацией N, пластины располагают в специальных кассетах на расстоянием h между одна от другой. Расстояние определяют пропорционально смене соотношения E/N.ru
dc.description.abstractA method for treatment of plasmochemical metal material consists in etching semi-conductive plates made in a cylindrical reactor, wherein plasma of high-frequency discharge is excited at low pressure of plasma-supporting gas by means of formation in reactor of high-frequency field with E intensity that cause appearance of plasma chemically active particles having N concentration. Plates are arranged in special plate holders at a distance h one from another. Moreover, the h distance is determined proportional to change of the ratio E/N.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectелектронна технікаuk
dc.subjectH01L 21/302
dc.subjectобробка поверхні матеріалівuk
dc.subjectплазмохімічна обробка матеріалівuk
dc.subjectнапівпровідникові матеріалиuk
dc.titleСпосіб плазмохімічної обробки матеріалівuk
dc.title.alternativeМетод плазмохимической обработки материаловru
dc.title.alternativeMethod for plasmochemical treatment of materialsen
dc.typePatent


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію