dc.contributor.author | Осадчук, Володимир Степанович | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Олександр Володимирович | uk |
dc.contributor.author | Барабан, Сергій Володимирович | uk |
dc.contributor.author | Ільченко, Олена Миколаївна | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Владимир Степанович | ru |
dc.contributor.author | Осадчук, Александр Владимирович | ru |
dc.contributor.author | Барабан, Сергей Владимирович | ru |
dc.contributor.author | Ильченко, Елена Николаевна | ru |
dc.contributor.author | Osadchuk, Volodymyr Stepanovych | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych | en |
dc.contributor.author | Baraban, Serhii Volodymyrovych | en |
dc.contributor.author | Ilchenko, Olena Mykolaivna | en |
dc.date.accessioned | 2016-07-04T07:03:48Z | |
dc.date.available | 2016-07-04T07:03:48Z | |
dc.date.issued | 2008-03-25 | |
dc.identifier | 31114 | |
dc.identifier.citation | Пат. 31114 UA, МПК G01J 5/58. Мікроелектронний сенсор теплової потужності [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, О. М. Ільченко (Україна). - № u200713424 ; заявл. 03.12.2007 ; опубл. 25.03.2008, Бюл. № 6. - 3 с. : кресл. | uk |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/12567 | |
dc.description.abstract | Мікроелектронний сенсор теплової потужності містить польовий транзистор, біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги. Затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги. Другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний із колектором біполярного транзистора. Витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднані між собою. База біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора, до якого підключений перший полюс конденсатора з напиленою плівкою піроелектрика та перша вихідна клема, та перший вивід котушки індуктивності. Другий вивід котушки індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги. Другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела постійної напруги, другим полюсом конденсатора з напиленою плівкою піроелектрика, колектором біполярного транзистора і другим полюсом першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. | uk |
dc.description.abstract | Микроэлектронный сенсор тепловой мощности содержит полевой транзистор, биполярный транзистор, первый источник постоянного напряжения, конденсатор с напыленной пленкой пироэлектрика, катушку индуктивности, конденсатор и второй источник постоянного напряжения. Затвор полевого транзистора соединен с первым полюсом первого источника постоянного напряжения. Второй полюс первого источника постоянного напряжения соединен с коллектором биполярного транзистора. Исток полевого транзистора и эмиттер биполярного транзистора соединены между собой. База биполярного транзистора соединена со стоком полевого транзистора, к которому подключен первый полюс конденсатора с напыленной пленкой пироэлектрика и первая выходная клемма, и первый вывод катушки индуктивности. Второй вывод катушки индуктивности соединен с первым выводом конденсатора и первым полюсом второго источника постоянного напряжения. Второй вывод конденсатора соединен со вторым полюсом второго источника постоянного напряжения, вторым полюсом конденсатора с напыленной пленкой пироэлектрика, коллектором биполярного транзистора и вторым полюсом первого источника постоянного напряжения, которые образовывают общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма. | ru |
dc.description.abstract | Microelectronic indicator of thermal power includes field transistor, bipolar transistor, first source of direct voltage, capacitor with sputtered film of piroelectric, inductivity coil, capacitor and second source of direct voltage. Gate of field transistor is connected to the first pole of the first source of direct voltage. Second pole of first source of direct voltage is connected to collector of bipolar transistor. Sink of field transistor and emitter of bipolar transistor are connected to each other. Base of bipolar transistor is connected to the sink of field transistor to which first pole of capacitor with sputtered film of piroelectric and first input terminal are connected, and first contact of inductivity coil. Second contact of inductivity coil is connected to the first output of capacitor and first pole of the second source of direct voltage. Second output of capacitor is connected to the second pole of the second source of direct voltage, second pole of capacitor and sputtered film of piroelectric, collector of bipolar transistor and second pole of the first source of direct voltage that form common bus to which second output socket is connected. | en |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ) | uk |
dc.subject | G01J 5/58 | |
dc.subject | контрольно-вимірювальна техніка | uk |
dc.subject | мікроелектронний сенсор | uk |
dc.subject | автоматичне керування технологічними процесами | uk |
dc.subject | частотний сенсор | uk |
dc.subject | теплова потужність | uk |
dc.title | Мікроелектронний сенсор теплової потужності | uk |
dc.title.alternative | Микроэлектронный сенсор тепловой мощности | ru |
dc.title.alternative | Microelectronic indicator of heat power | en |
dc.type | Patent | |