Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, Володимир Степановичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorІльченко, Олена Миколаївнаuk
dc.contributor.authorБарабан, Сергій Володимировичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Владимир Степановичru
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorИльченко, Елена Николаевнаru
dc.contributor.authorБарабан, Сергей Владимировичru
dc.contributor.authorOsadchuk, Volodymyr Stepanovychen
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.contributor.authorIlchenko, Olena Mykolaivnaen
dc.contributor.authorBaraban, Serhii Volodymyrovychen
dc.date.accessioned2016-07-05T08:09:41Z
dc.date.available2016-07-05T08:09:41Z
dc.date.issued2008-02-11
dc.identifier30177
dc.identifier.citationПат. 30177 UA, МПК G01J 1/44. Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, С. В. Барабан (Україна). - № u200712798 ; заявл. 19.11.2007 ; опубл. 11.02.2008, Бюл. № 3. - 2 с. : кресл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/12586
dc.description.abstractМікроелектронний вимірювач оптичної потужності містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор. Введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію.uk
dc.description.abstractМикроэлектронный измеритель оптической мощности содержит источник постоянного напряжения, индуктивный элемент, конденсатор. Введены биполярный транзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения, а как индуктивный элемент использован МДН-фототранзистор с непрозрачным затворным электродом из алюминия.ru
dc.description.abstractMicroelectronic optical power measuring device includes source of direct voltage, inductive element, capacitor. Bipolar transistor is included, passive inductance, second source of direct voltage, and as inductance element MDN-photptransistor is used with opaque electrode made of aluminum.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectG01J 1/44
dc.subjectконтрольно-вимірювальна технікаuk
dc.subjectавтоматичне керування технологічними процесамиuk
dc.subjectмікроелектронний вимірювачuk
dc.subjectоптичне випромінюванняuk
dc.titleМікроелектронний вимірювач оптичної потужностіuk
dc.title.alternativeМикроэлектронный измеритель оптической мощностиru
dc.title.alternativeMicroelectronic optical power measuring deviceen
dc.typePatent


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію