Напівпровідникова індуктивність

Abstract

Напівпровідникова індуктивність містить розділовий конденсатор, а як транзистор використано одноперехідний транзистор, друга база якого під'єднана до першого виводу першого резистора і до вхідної клеми. Другий вивід першого резистора з'єднано з шиною живлення. Емітер через другий резистор з'єднано з шиною живлення і через розділовий конденсатор з загальною шиною, до якої під'єднана перша база одноперехідного транзистора.

Полупроводниковая индуктивность содержит разделительный конденсатор, а как транзистор использован однопереходный транзистор, вторая база которого подсоединена к первому выводу первого резистора и к входной клемме. Второй вывод первого резистора соединен с шиной питания. Эмиттер через второй резистор соединен с шиной питания и через разделительный конденсатор с общей шиной, к которой подсоединена первая база однопереходного транзистора.

Semiconductor inductivity has division capacitor and as transistor one-junction transistor is used, with its second base connected to first output of first resistor and to input terminal. Second junction of first resistor is connected to power supply bus. Emitter through second resistor is connected to power supply bus and through separation capacitor to common bus to which first base of one-junction transistor is connected.