Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.date.accessioned2017-03-19T15:21:15Z
dc.date.available2017-03-19T15:21:15Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах [Текст] / О. В. Осадчук // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2001. - № 3. - С. 95-104.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14853
dc.description.abstractФотореактивні властивості напівпровідникових приладів знайшли широке використан- ня в різноманітних пристроях радіоелектроніки [1,2], тому дослідження цих явищ в біпо лярних транзисторних структурах разом з використанням їх від’ємного опору дозволяє створити нові сенсорні прилади, які мають кращі параметри ніж існуючі [3-5].uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВінницький державний технічний університетuk
dc.relation.ispartofВісник Вінницького політехнічного інституту. № 3 : 95-104.uk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectфотореактивний ефектuk
dc.subjectчастотний перетворювачuk
dc.subjectчастотаuk
dc.titleДослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторахuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.307


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію