• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Однокристальний перетворювач імітансу

Автор
Ліщинська, Людмила Броніславівна
Лищинская, Людмила Брониславовна
Lischynska, Liudmyla Bronislavivna
Дата
2014-04-10
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Анотації
Однокристальний перетворювач імітансу, складається з польового транзистора, стік якого через перший резистор з'єднаний з першою клемою живлення і через перший конденсатор з'єднаний з вихідною клемою, витік польового транзистора з'єднаний зі спільною шиною, а затвор транзистора через другий конденсатор з'єднаний з вхідною клемою і через другий резистор з'єднаний з другою клемою живлення. Стік польового транзистора через послідовно включені третій конденсатор і третій резистор з'єднаний із затвором польового транзистора.
 
Однокристальный преобразователь иммитанса состоит из полевого транзистора, сток которого при помощи первого резистора соединен с первой клеммой питания и при помощи первого конденсатора соединен с выходной клеммой, исток полевого транзистора соединен с общей шиной, а затвор транзистора при помощи второго конденсатора соединен с входной клеммой и при помощи второго резистора соединен со второй клеммой питания. Сток полевого транзистора при помощи последовательно включенных третьего конденсатора и третьего резистора соединен с затвором полевого транзистора.
 
A single-crystal immitance converter comprises a field-effect transistor, whose drain is connected to a first power supply terminal by means of a first resistor and to an output terminal by means of a first capacitor, a source of field-effect transistor is connected to a global bus; the transistor drain is connected to the input terminal through the second capacitor, and connected to the second power supply terminal through the second resistance. The field-effect transistor drain is connected to the gate of field-effect transistor through the series connected third capacitor and third resistor.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1582
Відкрити
88823.pdf (193.8Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ