Мікроелектронний вимірювач тиску

Abstract

Мікроелектронний вимірювач тиску містить джерело постійної напруги, конденсатор, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому в нього введені двостоковий тензочутливий польовий транзистор, двозатворний польовий транзистор, друге джерело постійної напруги, індуктивність, причому перший стік двостокового тензочутливого польового транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового тензочутливого польового транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового тензочутливого польового транзистора з'єднана із його витоком, другі полюси першого та другого джерел постійної напруги об'єднані у загальну шину, яка є заземленою, затвор двостокового тензочутливого польового транзистора з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, підкладка двозатворного польового транзистора з'єднана із його витоком та витоком двостокового тензочутливого польового транзистора. Перший затвор двозатворного польового транзистора з'єднаний із першим стоком двостокового тензочутливого польового транзистора та першим виводом індуктивності, другий вивід якої з'єднаний із першим виводом конденсатора та першим полюсом другого джерела постійної напруги, другий затвор двозатворного польового транзистора з'єднаний із другим стоком двостокового тензочутливого польового транзистора та першим виводом другого резистора, другий вивід якого з'єднаний із стоком двозатворного польового транзистора, другим виводом конденсатора та підключений до загальної шини, до якої підключена друга вихідна клема.

Микроэлектронный измеритель давления состоит из источника постоянного напряжения, конденсатора, двух резисторов, общей шины и двух выходных клемм, причем в него введены двухстоковый тензочувствительный полевой транзистор, двухзатворный полевой транзистор, второй источник постоянного напряжения, индуктивность, причем первый сток двустокового тензочувствительного полевого транзистора образует первую выходную клемму, а второй сток двустокового тензочувствительного полевого транзистора подключен к первому выводу второго резистора, подложка двустокового тензочувствительного полевого транзистора соединена с его стоком, вторые полюса первого и второго источников постоянного напряжения объединены в общую шину, которая является заземленной, затвор двустокового тензочувствительного полевого транзистора соединен с первым выводом первого резистора, второй вывод которого подключен к первому полюсу первого источника постоянного напряжения, подложка двухзатворного полевого транзистора соединена с его стоком и стоком двустокового тензочувствительного полевого транзистора. Первый затвор двухзатворного полевого транзистора соединен с первым стоком двустокового тензочувствительного полевого транзистора и первым выводом индуктивности, второй вывод которой соединен с первым выводом конденсатора и первым полюсом второго источника постоянного напряжения, второй затвор двухзатворного полевого транзистора соединен со вторым стоком двустокового тензочувствительного полевого транзистора и первым выводом второго резистора, второй вывод которого соединен со стоком двухзатворного полевого транзистора, вторым выводом конденсатора и подключен к общей шине, к которой подключена вторая выходная клемма.

A microelectronic pressure sensor comprises a DC source, a capacitor, two resistors, a global bus, two output terminals; the following elements are incorporated: a two-drain strain-sensitive field-effect transistor, a two-gate field-effect transistor, a second DC voltage source, an inductance; a first drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor forms a first output terminal, a second drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor is connected to the first lead of second resistor, a substrate of two-drain strain-sensitive field-effect transistor is connected to drain thereof, the second poles of first and second DC sources are united in the global bus being grounded, the gate of two-drain strain-sensitive field-effect transistor is connected to the first terminal of first resistor, the second lead of which is connected to the first pole of first DC voltage source. The substrate of two-gate field-effect transistor is connected to the drain thereof and drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor. The first gate of two-gate field-effect transistor is connected to the first drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor and first lead of inductance, the second lead of which is connected to the first lead of capacitor and first pole of second DC voltage source, the second gate of two-gate field-effect transistor is connected to the second drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor and first lead of second resistor, the second lead of which is connected to the drain of two-gate field-effect transistor, second lead of capacitor and connected to the global bus, the second output terminal is also connected to the global bus.