Мікроелектронний сенсор тиску

Abstract

Мікроелектронний сенсор тиску, який містить джерело постійної напруги, два резистори, конденсатор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому в нього введені двостоковий тензочутливий польовий транзистор, двозатворний польовий транзистор, індуктивність, причому перший стік двостокового тензочутливого польового транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового тензочутливого польового транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс джерела постійної напруги підключений до загальної шини, яка є заземленою, причому перший та другий затвори двостокового тензочутливого польового транзистора з'єднані із першими виводами першого та другого резисторів відповідно, підкладка двозатворного польового транзистора з'єднана із його витоком та витоком двостокового тензочутливого польового транзистора. Перший затвор двозатворного польового транзистора з'єднаний із першим стоком двостокового тензочутливого польового транзистора та першим виводом індуктивності, другий вивід якої з'єднаний із другим виводом першого резистора, першим виводом конденсатора та першим полюсом джерела постійної напруги, другий стік двостокового тензочутливого польового транзистора з'єднаний із другим затвором двозатворного польового транзистора, стік якого з'єднаний із другими виводами другого резистора і конденсатора та підключений до загальної шини, до якої підключена друга вихідна клема.

Микроэлектронный датчик давления состоит из источника постоянного напряжения, двух резисторов, конденсаторов, общей шины и двух выходных клемм, причем в него введены двухстоковый тензочувствительный полевой транзистор, двухзатворный полевой транзистор, индуктивность, причем первый сток двухстокового тензочувствительного полевого транзистора образует первую выходную клемму, второй вывод первого резистора соединен с первым полюсом источника постоянного напряжения, подложка двухстокового тензочувствительного полевого транзистора соединена с его стоком, второй полюс источника постоянного напряжения подключен к общей шине, которая является заземленной, причем первый и второй затворы двухстокового тензочувствительного полевого транзистора соединены с первыми выводами первого и второго резисторов соответственно, подложка двухзатворного полевого транзистора соединена с его стоком и стоком двухстокового тензочувствительного полевого транзистора. Первый затвор двухзатворного полевого транзистора соединен с первым стоком двухстокового тензочувствительного полевого транзистора и первым выводом индуктивности, второй вывод которой соединен со вторым выводом первого резистора, первым выводом конденсатора и первым полюсом источника постоянного напряжения, второй сток двухстокового тензочувствительного полевого транзистора объединен со вторым затвором двухзатворного полевого транзистора, сток которого соединен со вторыми выводами второго резистора и конденсатора и подключен к общей шине, к которой подключена вторая выходная клемма.

A microelectronic pressure sensor comprises a DC source, two resistors, a capacitor, a global bus two output terminals, the following elements are incorporated: a two-drain strain-sensitive field-effect transistor, a two-gate field-effect transistor, an inductance; a first drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor forms a first output terminal, a second lead of first resistor is connected to a first pole of DC voltage source, a substrate of two-drain strain-sensitive field-effect transistor is connected to the drain thereof, the second pole of DC voltage source is connected to the global bus being grounded; first and second gates of two-drain strain-sensitive field-effect transistor are connected to the first terminals of first and second resistors correspondingly, the substrate of two-gate field-effect transistor is connected to the drain thereof and drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor. The first drain of two-gate field-effect transistor is connected to the first drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor and first lead of inductance, first lead of which is connected to the second lead of first resistor, first lead of capacitor and first pole of DC voltage source, the second drain of two-drain strain-sensitive field-effect transistor is united with the second gate of two-gate field-effect transistor, whose drain is connected to the second leads of second resistor and capacitor and connected to the global bus, to which the second output terminal is connected.