Сенсор магнітної індукції
Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Date
2007-04-10Metadata
Show full item recordCollections
Abstract
Сенсор магнітної індукції належить до контрольно-вимірювальної техніки. Сенсор складається з джерела постійної напруги, яке через резистори електрично живить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор. Двозатворний польовий транзистор і біполярний транзистор разом з ємністю і індуктивністю утворюють генератор електричних коливань. Коливальний контур генератора утворений паралельним з'єднанням ємності на основі біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, двозатворного польового транзистора і біполярного транзистора та індуктивності. Технічним результатом є перетворення магнітної індукції у частоту, що підвищує чутливість і точність виміру магнітної індукції. Сенсор магнитной индукции принадлежит к контрольно-измерительной технике. Сенсор состоит из источника постоянного напряжения, который через резисторы питает биполярный двухколлекторный чувствительный к магниту транзистор. Двухзатворный полевой транзистор и биполярный транзистор вместе с емкостью и индуктивностью образуют генератор электрических колебаний. Колебательный контур образован параллельным соединением емкости на основе биполярного двухколлекторного чувствительного к магниту транзистора, двухзатворного полевого транзистора, биполярного транзистора и индуктивности. В результате магнитная индукция превращается в частоту, что повышает чувствительность и точность измерений магнитной индукции. The magnetic induction sensor concerns a control equipment. The sensor consists of a direct voltage source, which through resistances supplies a bipolar double-collector magnetic sensitive transistor. A dual-gate FET and a bipolar transistor combined with a capacity and an inductance compose a generator of electrical generation. An oscillating circuit is formed of a parallel connection of the capacity based on the bipolar double-collector magnetic sensitive transistor, the dual-gate FET, the bipolar transistor and the inductivity. The technical result is a transformation of the magnetic induction to a frequency, that causes rising of a sensibility and a precision of measurements of the magnetic induction.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1613