• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Author
Нікешин, Юрій Ігорович
Осадчук, Олександр Володимирович
Никешин, Юрий Игоревич
Осадчук, Александр Владимирович
Nikeshyn, Yurii Ihorovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Date
2012-11-12
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [684]
Abstract
Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення. Введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення, та польовим транзистором, до якого підключені третій та четвертий зонди.
 
Микроэлектронное шестизондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления содержит катушку индуктивности, подключенную к источнику питания. Введены шесть зондов, активный индуктивный элемент, второй и третий источник питания, три резистора, два биполярных транзистора, к которым подключена первая и вторая емкость, каждая из которых соединена с активным индуктивным элементом и вторым источником питания, и полевым транзистором, к которому подключены третий и четвертый зонды.
 
A microelectronic six-probe device for measuring semiconductor resistance comprises an inductance coil connected to a power source. There are introduced six probes, an active inductance element, the second and third power sources, three resistors, two bipolar transistors, first and second capacitance connected to said transistors, each of which is connected to the active inductive element and second power source, and a field-effect transistor, to which the third and fourth probes are connected.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1633
View/Open
74631.pdf (204.9Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ