Нейронний елемент на r-негатронах

Abstract

Нейронний елемент на R-негатронах містить джерело живлення, яке з'єднано з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднано з катодом другого фотодіода, анод другого фотодіода з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, причому до нього введено перший польовий транзистор, стік якого з'єднаний із джерелом живлення, витік першого польового транзистора з'єднаний з витоком другого польового транзистора, затвор першого польового транзистора з'єднаний зі стоком другого польового транзистора та зі стоком третього польового транзистора, затвор другого польового транзистора з'єднано з джерелом живлення, витік третього польового транзистора з'єднано з витоком четвертого польового транзистора, стік четвертого польового транзистора з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, затвор третього польового транзистора з'єднано з анодом другого фотодіода, затвор четвертого польового транзистора з'єднано зі стоком другого польового транзистора, анод першого фотодіода з'єднано зі стоком третього польового транзистора та з потенціальним виходом.

Нейронный элемент на R-негатронах содержит источник питания, соединенный с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, анод второго фотодиода соединен с отрицательным полюсом источника питания, причем в него введен первый полевой транзистор, сток которого соединен с источником питания, исток первого полевого транзистора соединен с истоком второго полевого транзистора, затвор первого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора и со стоком третьего полевого транзистора, затвор второго полевого транзистора соединен с источником питания, исток третьего полевого транзистора соединен с истоком четвертого полевого транзистора, сток четвертого полевого транзистора соединен с отрицательным полюсом источника питания, затвор третьего полевого транзистора соединен с анодом второго фотодиода, затвор четвертого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора, анод первого фотодиода соединен со стоком третьего полевого транзистора и с потенциальным выходом.

An R-negatron neural element comprises a power source connected to cathode of first photodiode which anode is connected to cathode of second photodiode, which anode is connected to negative terminal of power source. It comprises first field transistor which drain region is connected to power supply, source region of first field transistor is connected to source region of second field transistor, gate region of first field transistor is connected to drain region of second field transistor and to drain region of third field transistor, gate region of second field transistor is connected to power supply, source region of third field transistor is connected to source region of fourth field transistor, drain region of fourth field transistor is connected to negative terminal of power source, gate region of third field transistor is connected to anode of second photodiode, gate region of fourth field transistor is connected to drain region of second field transistor, anode of the fist photodiode is connected to drain region of third field transistor and to potential output.