Транзисторний детектор швидких нейтронів

Abstract

Транзисторний детектор швидких нейтронів містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор і джерело постійної напруги. У детектор уведені другий і третій чутливі до радіації нейтронів біполярні транзистори і друге джерело постійної напруги. При дії дози швидких нейтронів на чутливі до радіації нейтронів біполярні транзистори змінюються ємнісна та індуктивна складові повного опору, відповідно, на електродах колектор-колектор першого і другого транзисторів та на електродах емітер-колектор третього транзистора, що спричиняє зміну резонансної частоти коливального контуру. Винахід забезпечує підвищення чутливості пристрою.

Предлагаемый транзисторный детектор быстрых нейтронов содержит источник постоянного напряжения, биполярный транзистор, чувствительный к быстрым нейтронам, и, дополнительно, второй источник постоянного напряжения и два дополнительных биполярных транзистора, чувствительных к быстрым нейтронам. Воздействие быстрых нейтронов на биполярные транзисторы вызывает изменение емкостной и индуктивной составляющих полного сопротивления транзисторов, в результате чего изменяется частота резонансных колебаний в колебательном контуре, в который включены транзисторы. Настоящее изобретение позволяет повысить чувствительность прибора.

The proposed transistor fast-neutron detector contains a direct voltage source, a bipolar transistor sensitive to fast neutrons, and additionally, the second direct voltage source and two additional bipolar transistors sensitive to fast neutrons. The effect of fast neutrons on the bipolar transistors causes the change of the capacitive and inductive components of the transistor impedance, resulting in the change of the frequency of the resonance oscillations in the oscillatory circuit in which the transistors are connected. The present invention allows the sensitivity of the device to be enhanced.