Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів

Abstract

Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги. У пристрій уведені другий і третій чутливі до радіації нейтронів польові транзистори і друге джерело постійної напруги. При дії дози швидких нейтронів на чутливі до радіації нейтронів польові транзистори змінюються ємнісна та індуктивна складові повного опору, відповідно, першого і другого транзисторів та третього транзистора, що спричиняє зміну резонансної частоти коливального контуру. Винахід забезпечує підвищення чутливості пристрою.

Предлагаемый полупроводниковый прибор для определения дозы быстрых нейтронов содержит источник постоянного напряжения, полевой транзистор, чувствительный к быстрым нейтронам, и, дополнительно, второй источник постоянного напряжения и два дополнительных полевых транзистора, чувствительных к быстрым нейтронам. Воздействие быстрых нейтронов на полевые транзисторы вызывает изменение емкостной и индуктивной составляющих полного сопротивления транзисторов, в результате чего изменяется частота резонансных колебаний в колебательном контуре, в который включены транзисторы. Настоящее изобретение позволяет повысить чувствительность прибора.

The proposed semiconductor device for determining a dose of fast neutrons contains a direct voltage source, a field-effect transistor sensitive to fast neutrons, and additionally, the second direct voltage source and two additional field-effect transistors sensitive to fast neutrons. The effect of fast neutrons on the field-effect transistors causes the change of the capacitive and inductive components of the transistor impedance, resulting in the change of the frequency of the resonance oscillations in the oscillatory circuit in which the transistors are connected. The present invention allows the sensitivity of the device to be enhanced.