dc.contributor.author | Осадчук, Олександр Володимирович | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Володимир Степанович | uk |
dc.contributor.author | Барабан, Сергій Володимирович | uk |
dc.contributor.author | Коваль, Костянтин Олегович | uk |
dc.contributor.author | Щепанівський, Віталій Юрійович | uk |
dc.date.accessioned | 2017-07-31T13:31:35Z | |
dc.date.available | 2017-07-31T13:31:35Z | |
dc.date.issued | 2017-07-25 | |
dc.identifier | 118105 | |
dc.identifier.citation | Пат. 118105 UA, МПК G01K 7/00. Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, К. О. Коваль, В. Ю. Щепанівський (Україна). - № u 2017 00359 ; заявл. 13.01.2017 ; опубл. 25.07.2017, Бюл. № 14. - 5 с. : кресл. | uk |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/17959 | |
dc.description.abstract | Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, при цьому другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що польовий транзистор містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і електрод затвору, який є чутливим до випромінювання, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, поверхня підкладки вільна від діелектрика і є чутливою до випромінювання, має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких задовольняє наступне співвідношення: , де - площа перерізу паза; - площа каналу; - число пазів, а діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок перевищує довжину хвилі випромінювання, дно кожного паза покрито шаром піроелектриком і чутливим матеріалом, причому пази виконано з протилежного боку каналу у напівпровідниковій підкладці, крім того введено біполярний транзистор, при цьому витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднанні між собою, а база біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора та першою вихідною клемою та першим виводом індуктивності, при цьому колектор біполярного транзистора з'єднаний з другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. | uk |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ) | uk |
dc.subject | частотний вимірювальний перетворювач | uk |
dc.subject | G01K 7/00 | |
dc.subject | контрольно-вимірювальна техніка | uk |
dc.subject | вимірювання температури | uk |
dc.subject | піроелектричний температурний сенсор | uk |
dc.title | Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором | uk |
dc.type | Patent | |