Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Володимир Степановичuk
dc.contributor.authorБарабан, Сергій Володимировичuk
dc.contributor.authorКоваль, Костянтин Олеговичuk
dc.contributor.authorЩепанівський, Віталій Юрійовичuk
dc.date.accessioned2017-07-31T13:31:35Z
dc.date.available2017-07-31T13:31:35Z
dc.date.issued2017-07-25
dc.identifier118105
dc.identifier.citationПат. 118105 UA, МПК G01K 7/00. Частотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, К. О. Коваль, В. Ю. Щепанівський (Україна). - № u 2017 00359 ; заявл. 13.01.2017 ; опубл. 25.07.2017, Бюл. № 14. - 5 с. : кресл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/17959
dc.description.abstractЧастотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсором містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, при цьому другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що польовий транзистор містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і електрод затвору, який є чутливим до випромінювання, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, поверхня підкладки вільна від діелектрика і є чутливою до випромінювання, має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких задовольняє наступне співвідношення: , де - площа перерізу паза; - площа каналу; - число пазів, а діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок перевищує довжину хвилі випромінювання, дно кожного паза покрито шаром піроелектриком і чутливим матеріалом, причому пази виконано з протилежного боку каналу у напівпровідниковій підкладці, крім того введено біполярний транзистор, при цьому витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднанні між собою, а база біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора та першою вихідною клемою та першим виводом індуктивності, при цьому колектор біполярного транзистора з'єднаний з другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectчастотний вимірювальний перетворювачuk
dc.subjectG01K 7/00
dc.subjectконтрольно-вимірювальна технікаuk
dc.subjectвимірювання температуриuk
dc.subjectпіроелектричний температурний сенсорuk
dc.titleЧастотний вимірювальний перетворювач з транзисторним піроелектричним температурним сенсоромuk
dc.typePatent


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію