| dc.contributor.author | Колесницький, О. К. | uk |
| dc.contributor.author | Бокоцей, І. Д. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-11-20T12:08:58Z | |
| dc.date.available | 2017-11-20T12:08:58Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Колесницький О. К. Математичнамодель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі [Текст] / О. К. Колесницький, І. В. Бокоцей // Вісник Хмельницького національного університету. - 2011. - № 5. - С. 141-149. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19107 | |
| dc.description.abstract | В статті розроблено математичну модель нейроелемента на біспін-приладі, яка, по-перше, дозволяє
визначати не тільки частоту вихідних імпульсів, а і допустимий діапазон оптичних потужностей вхідних
сигналів, а, по-друге, встановлює залежність не від зовнішніх (експлуатаційних) параметрів біспін-приладу, а від
внутрішніх (технологічних) параметрів біспін-структури. Це дуже важливо при інтегральній реалізації масиву
штучних нейронів, де на етапі проектування та виготовлення необхідно знати потрібні технологічні параметри
напівпровідникових структур для досягнення заданих параметрів штучних нейронів. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Хмельницький національний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Вісник Хмельницького національного університету. № 5 : 141-149. | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Технічні науки | uk |
| dc.title | Математична модель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 004.032.26 | |
