Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів

Abstract

Створення цифрової енергонезалежної пам’яті (PCM – Phase Change Memory), що працює на базі елементів із халькогенідного скла, яке використовує принцип зворотного фазового переходу «аморфний-кристалічний» стан, є пріоритетним у галузі мікротехнологій. В тонких нанорозмірних плівках ХСН за рахунок електричного імпульсу відбуваються локальні структурні трансформації.

Creating digital-based non-volatile memory (PCM - Phase Change Memory), based on elements of chalcogenide glass, which uses the principle of reverse phase transition "amorphous-crystalline" state, is a priority in the field of microtechnology. In the thin nanoscale films of the CGS, due to the electric pulse, local structural transformations take place.