Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції
Автор
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Дата
2001-08-15Metadata
Показати повну інформаціюCollections
- Патенти (ВДТУ) [339]
Анотації
Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги. Введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної напруги. Перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого магніточутливого польового транзистора. Стік першого магніточутливого польового транзистора з'єднаний із затвором третього магніточутливого польового транзистора і його витоком. Другий вивід другого резистора з'єднаний із стоком третього магніточутливого польового транзистора, який підключений до першого виводу другої ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги. Затвор третього магніточутливого польового транзистора з'єднаний із стоком першого магніточутливого польового транзистора і затвором другого магніточутливого польового транзистора. Предлагаемый микроэлектронный измеритель магнитной индукции содержит три магниточувствительных полевых транзистора, два резистора, два конденсатора и два источника постоянного напряжения. Первый вывод первого источника постоянного напряжения соединен с первым выводом первого резистора. Второй вывод первого резистора соединен с затвором первого транзистора. Сток первого транзистора соединен с затвором и истоком третьего транзистора. Второй вывод второго резистора соединен со стоком третьего транзистора, первым выводом второго конденсатора и первым выводом второго источника постоянного напряжения. Затвор третьего транзистора соединен со стоком первого транзистора и затвором второго транзистора. The proposed microelectronic magnetic flux density meter contains three magnetosensitive field-effect transistors, two resistors, two capacitors, and two direct voltage sources. The first terminal of the first direct voltage source is connected to the first terminal of the first resistor. The second terminal of the first resistor is connected to the gate of the first transistor. The drain of the first transistor is connected to the gate and the source of the third transistor. The second terminal of the second resistor is connected to the drain of the third transistor, the first terminal of the second capacitor, and the first terminal of the second direct voltage source. The gate of the third transistor is connected to the drain of the first transistor and the gate of the second transistor.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22011