• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом

Автор
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Ярослав Олександрович
Семенов, Андрій Олександрович
Барабан, Сергій Володимирович
Коваль, Костянтин Олегович
Клименко, Вадим Андрійович
Дата
2018-06-25
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Анотації
Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом, містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, при цьому другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, польовий транзистор містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і електрод затвору, який є чутливим до випромінювання, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, поверхня підкладки вільна від діелектрика і є чутливою до випромінювання, має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких задовольняє наступне співвідношення: , де - площа перерізу паза; - площа каналу; - число пазів, а діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок перевищує довжину хвилі випромінювання, дно кожного паза покрито шаром піроелектриком і чутливим матеріалом, причому пази виконано з протилежного боку каналу у напівпровідниковій підкладці, крім того пристрій містить біполярний транзистор, при цьому витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднанні між собою, а база біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора та першою вихідною клемою та першим виводом індуктивності, при цьому колектор біполярного транзистора з'єднаний з другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, відрізняється тим, що в якості індуктивності використано активний індуктивний елемент, який складається з другого біполярного транзистора, другого конденсатора, та резистора, при цьому емітер другого біполярного транзистора з'єднаний з першим полюсом другого джерела живлення та першим виводом першого конденсатора, до якого підключений другий вивід резистора, перший вивід другого конденсатора з'єднаний з вихідною клемою, яка з'єднана колектором другого біполярного транзистора, що з'єднаний з базою першого біполярного транзистора, котра з'єднана зі стоком польового транзистора, база другого біполярного транзистора з'єднана з другими виводом другого конденсатора та першим виводом резистора.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22374
Відкрити
126457.pdf (256.3Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ