Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера

Abstract

Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера, що включає регулювання режиму тепловиділення в активній області лазера внаслідок накачування його імпульсами струму. Величину струму на протязі імпульсу змінюють за лінійним або за експоненційним законом з позитивним знаком другої похідної струму за часом. Величину тепловиділення регулюють одночасно змінюючи глибину модуляції частоти відповідного імпульсу, причому останню змінюють адаптивно для кожного окремого імпульсу в залежності від температури кристалу у відповідний момент після проходження імпульсу струму.

Предлагаемый способ стабилизации частоты излучения инжекционного полупроводникового лазера предполагает регулирование выделения тепла в активной области лазера с помощью изменения амплитуды импульсов тока накачки лазера в соответствии с линейной или экспоненциальной характеристикой и положительной обратной связью по производной токового сигнала. Способ отличается тем, что одновременно с изменением амплитуды импульсов тока накачки изменяют глубину частотной модуляции импульсов тока в зависимости от температуры кристалла лазера.

The proposed method for stabilizing frequency of an injection semiconductor laser implies controlling heat evolution in the active zone of the laser by varying the pumping current of the laser according to a linear or exponential characteristic and with positive current signal feedback. The method is distinctive by varying the frequency modulation depth of the pumping current pulses depending on the temperature of the laser crystal simultaneously with varying the amplitude of the current pulses.