Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorМартинюк, В. В.uk
dc.contributor.authorЄвсєєва, М. В.uk
dc.contributor.authorСелецька, О. О.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorMartinyuk, V. V.en
dc.contributor.authorEvseeva, M. V.en
dc.contributor.authorSeletska, O. O.en
dc.date.accessioned2019-12-02T19:06:14Z
dc.date.available2019-12-02T19:06:14Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationМагніточутливий сенсор на основі гетерометалевої комплексної сполуки [Текст] / О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, М. В. Євсєєва, О. О. Селецька // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технічні науки". – 2019. – Т. 273, № 3. – С. 97–101.uk
dc.identifier.issn2307-5732
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/26689
dc.description.abstractCинтезовано матеріал μ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилацетонат, такого складу: Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA = H3C–C(O)–CH2–C(O)–CH3, проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки основних фізичних параметрів даного матеріалу. Доведено, що даний матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків. Отримано залежності концентрації носіїв заряду та сталої Холла від температури. В діапазоні температур від 50°С до 220°С концентрація носіїв заряду зростає від 8,21·1023 м-3 до 4,36·1035м-3, а стала Холла зменшується від 8,9·10-6 м3·Кл-1 до 1,6·10-17 м3·Кл-1. Отримано залежності напруги Холла та напруженості електричного поля, всередині пластини розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, від індукції магнітного поляuk
dc.description.abstractThe synthesis of the material μ-methoxy (cupram(II), bismuth(III)) acetylacetonate, composition Cu3Bi (AA)4 (OCH3)5, where HAA = H3C-C (O) –CH2-C (O) –CH3, experimental measurements and theoretical calculations of the basic physical parameters of this material are carried out. It is proved that this material is a semiconductor, and with the carriers of the charge of both signs. The dependences of the concentration of charge carriers and the constant Hall on temperature are obtained. In the temperature range from 50 ° C to 220 ° C, the concentration of charge carriers increases from 8,21·1023 m-3 to 4,36·1035 m-3, and the Hall's value decreases from 8,9·10-6 m3·Cl-1 to 1,6·10-17 m3·Cl-1. The dependences of the Hall voltage and the intensity of the electric field, in the middle of the plate 0,5 × 0,5 × 0,15 mm, on the induction of the magnetic field were obtained.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.relation.ispartofВісник Хмельницького національного університету. Т. 273, № 3 : 97–101.uk
dc.subjectіндукціяuk
dc.subjectмагнітне полеuk
dc.subjectконцентраціяuk
dc.subjectнапівпровідникuk
dc.subjectгетерометалеві комплексні сполукиuk
dc.subjectinductionen
dc.subjectmagnetic fielden
dc.subjectconcentrationen
dc.subjectsemiconductoren
dc.subjectheterometal coordination compoundsen
dc.titleМагніточутливий сенсор на основі гетерометалевої комплексної сполукиuk
dc.title.alternativeMagnetically sensitive sensor based on heterometal complex compounden
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.38
dc.identifier.doi10.31891/2307-5732-2019-273-3-97-101


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію