Сенсор на основі гетерометалічної комплексної сполуки Купруму(ІІ) з N,N'-біс(саліциліден)тіосемикарбазидом

Abstract

Cинтезовано матеріал гетерометалічний кальцій ди[N,N'-біс(саліциліден)тіосемикарбазидатокупрат(ІІ)] дигідрат, такого складу: Ca[CuL']2 · 2Н2О, де L' = C15H10N3O2S, проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки основних фізичних параметрів даного матеріалу. Доведено, що даний матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків. Отримано залежності питомого опору, питомої провідності, опору, концентрації носіїв заряду та сталої Холла від температури. В діапазоні температур від 273 К до 493 К концентрація носіїв заряду зростає від 1,11·1020 м-3 до 2,61·1033 м-3, а стала Холла змінюється від 0,065 м3·Кл-1 до 2,8·10-15 м3·Кл-1. Отримано залежності напруги Холла та напруженості електричного поля, всередині пластини розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, від індукції магнітного поля

The creation of new materials with specific physical properties that are used for making the sensors of temperature or magnetic field exists for a long time. From this point of view, of special interest are materials created based on heterometallic complex compounds. The synthesized material heterometallic Calcium di[N,N'-bis(salicylidene)thiosemicarbazidatocuprate(II)] dihydride, such a composition: Ca[CuL']2 · 2Н2О, where L' = C15H10N3O2S, experimental measurements and theoretical calculations of the basic physical parameters of this material are carried out. For a dedicated and dehydrated Ca complex compound[Cu(C15H10N3O2S)]2 calculated molaro weight, which is equal to 759,829 g/mol and the number of valence electrons in one molecule – 210. For conducting experimental studies used a cylindrical specimen with a mass of 0.08 g and the amount 17,67∙10-9 m3, which were made from dehydrated compound (S) by pressing. Based on these data, we calculated the density of matter: ρ = 4,527∙103 kg/m3. It is proved that the material is a semiconductor, and charge carriers of both signs. The dependences of resistivity, conductivity, resistance, concentration of charge carriers and the Hall constant on temperature. In the temperature range from 273 K to 493 K, the resistivity varied from 2,04∙1016 Ω·m to 872,13 Ω·m, the resistance of the sample at a temperature of 273 K it is equal to 1.36·1020 Ω, at 313 K –2.02·1016 Ω, and at 493 K – 5,8·106 Ω, the concentration of charge carriers grows to 1,11·1020 m-3 to 2,61·1033 м-3, and the Hall was changed from 0,065 m3·Cl-1: 2,8·10-15 m3·Cl-1. The dependences of the Hall voltage and electric field strength inside a plate with dimensions 0,5×0,5×0.15 mm, from the magnetic field induction. In the range from 0 to 100 mT Hall the voltage increases from 3,22·10-17 V to 3,22·10-16 V, from 100 mT to 1000 mT – Hall the voltage increases from 3,22·10-16 to 3,22·10-15 V.