Аналіз основних параметрів транзисторних аналогів індуктивності

Abstract

В роботі представлено аналіз основних фізичних параметрів транзисторних аналогів індуктивностей НВЧ діапазону на основі реактивних властивостей транзисторних схем. Отримано аналітичний вираз для визначення вхідного опору транзисторного індуктивного елемента. Розраховано залежності вхідного опору, індуктивності та добротності для транзисторів типу 2N4390 та 2N5774 від струму емітера.

The paper presents an analysis of the main physical parameters of transistor analogs of microwave inductors based on the reactive properties of transistor circuits. An analytical expression for determining the input resistance of a transistor inductive element is obtained. The dependences of the input resistance, inductance and quality factor for transistors of type 2N4390 and 2N5774 on the emitter current are calculated