• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Оцінка основних параметрів імітансних логічних елементів

Автор
Ліщинська, Л. Б.
Дата
2012-10-26
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Наукові роботи каф. ПЗ [1509]
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3 [13]
Анотації
Проведено обґрунтування основних параметрів імітансних логічних елементів: швидкодії, коефіцієнту об‘єднання по входу, коефіцієнту розгалуження, коефіцієнту стійкості, споживаної потужності і потужності, яка витрачається на переключення. Отримані аналітичні вирази для цих параметрів, які придатні до використання при реалізації імітансних ЛЕ як на біполярних, так і польових транзисторних структурах.
 
Проведено обоснование основных параметров иммитансных логических элементов: быстродействия, коэффициента объединения по входу, коэффициента разветвления, коэффициента устойчивости, потребляемой мощности и мощности, которая затрачивается на переключение. Получены аналитические выражения для этих параметров, которые могут быть использованы при реализации иммитансных ЛЭ как на биполярной, так и полевой транзисторных структурах.
 
The ground of basic parameters of immittance logical elements is conducted: fast-acting, coefficient of association on an entrance, coefficient of fork, coefficient of firmness, watts-in and power which is expended on switching. Analytical expressions are got for these parameters, what can be used for realization of immittance LE both on bipolar and to the field transistor structures.
 
URI:
http://itce.vntu.edu.ua/index.php/itce/article/view/61
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3811
Відкрити
68.pdf (337.4Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ