Транзисторний піроелектричний температурний сенсор

Abstract

Транзисторний піроелектричний температурний сенсор належить до контрольно-вимірювальної техніки. Сенсор містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і чутливий до випромінювання електрод затвору. Області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині. Область витоку зв'язана з областю стоку через область каналу. Вільна від піролектрика поверхня підкладки є чутливою до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких задовольняє відповідному співвідношенню. Діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок перевищує довжину хвилі випромінювання. Дно кожного паза покрито піроелектриком і пази виконано з протилежного від електрода затвору боку області каналу у напівпровідниковій підкладці. Сенсор забезпечує підвищення чутливості, що розширює його функціональні можливості.

Транзисторный пироэлектрический температурный сенсор относится к контрольно-измерительной технике. Сенсор содержит полупроводниковую подкладку с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой пироэлектрика и чувствительный к излучению электрод затвора. Области стока, истока и электрод затвора расположены на одной плоскости. Область истока связана с областью стока через область канала. Свободная от пиролэктрика поверхность подкладки является чувствительной к излучению и имеет над областью канала пазы, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет соответствующему соотношению. Диаметр паза и расстояние между соседними пазами не меньше чем на порядок превышают длину волны излучения. Дно каждого паза покрыто пироэлектриком и пазы выполнены с противоположной от электрода затвора стороны области канала в полупроводниковой подкладке. Сенсор обеспечивает повышение чувствительности, что расширяет его функциональные возможности.

Transistor pyroelectric temperature sensor relates to control-measuring equipment. Sensor includes semiconductor pad with areas of sink, source and channel on which layer of pyroelectric is formed and sensitive to radiation gate electrode. Areas of sink, source and gate electrode are placed in plane. Source area is connected to sink area through channel area. Free of pyroelectric area of pad is sensitive to radiation and has slots over area of channel, area of cross section of each of those satisfies respective relation. Diameter of slot and distance between neighboring slots is not less than by order higher than radiation wavelength. Bottom of each slot is covered with pyroelectric and slots are arranged at opposite with respect to electrode side of channel area in semiconductor pad. Sensor provides increase of sensitivity, this increases its functional abilities.