Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Abstract

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення. Введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди.Микроэлектронное шестизондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления содержит катушку индуктивности и емкость, которая подключена к источнику питания. Введено шесть зондов, второй и третий источник питания, два резистора, биполярный транзистор, который соединен с катушкой индуктивности и вторым источником питания, и полевой транзистор, к которому подключены третий и четвертый зонды.A microelectronic six-probe device for measuring semiconductor resistance comprises an inductance coil and a capacitance connected to a power source. In the device there are introduced six probes, second and third power sources, two resistors, a bipolar transistor connected to the inductance coil and the second power source, and a field effect transistor, to which the third and forth probes are connected.