| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Мартинюк, В. В. | uk |
| dc.contributor.author | Стовбчата, О. П. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-02-15T13:27:35Z | |
| dc.date.available | 2016-02-15T13:27:35Z | |
| dc.date.issued | 2011-02 | |
| dc.identifier.citation | Дослідження повного опору магніточутливого тиристора [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, О. П. Стовбчата // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2011. - № 1. - С. 107-110. | uk |
| dc.identifier.issn | 2219-9365 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8227 | |
| dc.description.abstract | Розроблено математичну модель магніточутливого тиристора, що дає змогу розрахувати зміну повного опору при дії магнітного поля. Магнітотиристор подано у вигляді еквівалентної схеми, яка складається з двох магнітотранзисторів.
На основі аналітичних виразів для параметрів магнітотранзисторів отримано графічні залежності активної та реактивної складових повного опору магнітотиристора, які підтверджуються експериментальними даними. | uk |
| dc.description.abstract | A mathematical model magnetosensitive thyristor had designed. It allows to calculate the change in impedance
when exposed to a magnetic field.
Magnitotiristor represented as an equivalent circuit consisting of two magnetotransistor. On the basis of analytical
expressions for the parameters o | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Хмельницький національний університет | uk |
| dc.subject | тиристор | uk |
| dc.subject | магнітне поле | uk |
| dc.subject | перетворювач магнітного поля | uk |
| dc.subject | транзисторна структура з від'ємним опором | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | елемент Холла | uk |
| dc.title | Дослідження повного опору магніточутливого тиристора | uk |
| dc.type | Article | |
