Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі

Abstract

Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі включає підбір пробних значень вхідних параметрів, що регулюються, зокрема струму розряду дуги, струму зовнішнього магнітного поля та потенціалу підкладки, за допомогою яких здійснюють пробне напилення та вимірюють залежність температури від часу, після чого визначають стаціонарне значення температури напилення та за допомогою блока управління контролюють вихідні параметри, а саме товщину покриття, адгезію, залишкову напругу та експлуатаційні характеристики виробу. Вводять проміжні параметри, зокрема ступінь іонізації, густину потоку іонів та енергію іонізації, а до вхідних параметрів для уточнення вводять додаткові величини тиску та часу, визначають температуру та швидкість напилення, які задовольняють необхідні вимоги процесу іонно-плазмового напилення.

Способ управления ионно-плазменным напылением тонких пленок в вакууме включает подбор пробных значений входных параметров, которые регулируются, в частности тока разряда дуги, тока внешнего магнитного поля и потенциала подложки, с помощью которых осуществляют пробное напыление и измеряют зависимость температуры от времени, после чего определяют стационарное значение температуры напыления и с помощью блока управления контролируют исходные параметры, а именно толщину покрытия, адгезию, остаточное напряжение и эксплуатационные характеристики изделия. Вводят промежуточные параметры, в частности степень ионизации, плотность потока ионов и энергию ионизации, а к входным параметрам для уточнения вводят дополнительные величины давления и времени, определяют температуру и скорость напыления, удовлетворяющие необходимые требования процесса ионно-плазменного напыления.

A method for control of thin films ion-plasma deposition in vacuum includes matching of trial values of input parameters which are regulated, in particular current of arc discharge, current of external magnetic field and potential of substrate by which the test deposition is carried out and the dependence of the temperature from the time is measured, after which the stationary value of the deposition temperature and the initial parameters are controlled by the control unit, such as coating thickness, adhesion, residual stress and the operational characteristic of the article. The intermediate parameters, such as degree of ionization, ion flux density and ionization energy, are introduced, at that to the input parameters to specify them the additional values of pressure and time are introduced. The temperature and evaporation rate, which meet the necessary requirements of the process of ion-plasma deposition, are determined.