| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-05-26T22:06:38Z | |
| dc.date.available | 2016-05-26T22:06:38Z | |
| dc.date.issued | 2016-03 | |
| dc.identifier.citation | Слободян І. Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН [Електронний ресурс] / І. Слободян // Матеріали XLV Науково-технічної конференції ВНТУ, Вінниця, 23-24 березня 2016 р. - Електрон. текст. дані. - 2016. - Режим доступу : http://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2016/paper/view/91. | uk |
| dc.identifier.uri | http://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2016/paper/view/91 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/11385 | |
| dc.description.abstract | Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника, в яку додатково введено блок перевірки даних, що дозволить підвищити надійність та радіаційну стійкість цифрових пристроїв зберігання інформації. | uk |
| dc.description.abstract | The state and problems of volatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor. A new block diagram of the device read / write data memory cell based on chalcogenide vitreous semiconductor, which put additional block check data to help increase the reliability and radiation hardness of digital storage devices. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | цифрова пам’ять | uk |
| dc.subject | халькогенідний склоподібний напівпровідник | uk |
| dc.subject | структурна схема | uk |
| dc.subject | digital memory | en |
| dc.subject | chalcogenide glassy semiconductor | en |
| dc.subject | block diagram | en |
| dc.title | Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 621.397 | |
