Вплив технологічних варіацій на стабільність частотних CMOS сенсорів температури

Abstract

У роботі досліджено вплив технологічних варіацій на стабільність частотних сенсорів температури, виготовлених за CMOS технологією. Розглянуто основні фактори, що спричиняють зміни характеристик сенсорів, зокрема варіації порогових напруг транзисторів, геометричних параметрів та паразитних ємностей.

The paper investigates the impact of technological variations on the stability of frequency-based CMOS temperature sensors. Key influencing factors such as threshold voltage shifts, geometric mismatches, and parasitic capacitances are analyzed. Compensation methods including differential architectures, digital calibration, and deep-well isolation techniques are discussed. Simulation results show that compensation schemes can improve frequency stability to within ±0.25 % across the temperature range. The prospects of using such sensors in industrial and biomedical temperature monitoring systems are considered.