Тунельний ефект та його застосування в сучасній електроніці

Abstract

Розглядаються фізичні принципи квантового тунелювання електронів, що використовуються в наноелектроніці. Проаналізовано математичну залежність ймовірності тунелювання від параметрів потенціального бар'єра, наведено класифікацію та приклади застосування явища в сучасних напівпровідникових приладах. Описано перспективи використання тунельного ефекту для подальшої мініатюризації обчислювальних систем та розвитку квантових технологій.

The physical principles of quantum tunneling of electrons used in nanoelectronics are considered. The mathematical dependence of tunneling probability on the potential barrier parameters is analyzed, and the classification and examples of the phenomenon application in modern semiconductor devices are provided. The prospects of using the tunneling effect for further miniaturization of computing systems and the development of quantum technologies are described.