Repository of Vinnytsia National Technical University: Недавні надходження
Відображеня елементи 36781-36800 із 49042
-
Оцінювання невизначеності вимірювань концентрації діоксиду сірки на основі методу інтегрувальної сфери
(Національний авіаційний університет, 2009) -
Джерела «Російсько-українського словника» за редакцією А. Ю. Кримського, С. О. Єфремова у контексті його дескриптивності
(Херсонський державний університет, 2015)У статті здійснено спробу систематичного аналізу джерельної бази «Російсько-українського словника» за редакцією А. Ю. Кримського та С. О. Єфремова з семантичного погляду; встановлено, що основними джерелами РУСа була ... -
Пасивний імітансний логічний LC-елемент
(Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-01-25)Пасивний імітансний логічний LC-елемент, який містить перший перемикач, перший вхід якого під'єднаний через першу котушку індуктивності до клеми заземлення, а вихід під'єднаний через перший відрізок лінії передачі до першого ... -
Сумматор кодов Фибоначчи
(ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 1988-07-23)Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для суммирования кодов Фибоначчи с представлением результата суммирования в минимальной форме. -
Последовательный сумматор
(ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 1988-07-23)Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных процессорах для обработки графической информации, а также при создании специализированных "векторных" вычислительных машин. -
Устройство для цифроаналогового преобразования
(ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 1988-07-23)Изобретение относится к цифровой измерительной и вычислительной технике. Цель - расширение функциональных возможностей за счет обеспечения дополнительной функции преобразования кодов с иррациональным основанием. -
Параллельный накапливающий сумматор
(ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 1988-05-30)Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в специализированных вычислительных машинах и цифровых средствах роботизированных систем управления для сложения чисел с иррациональным основанием и ... -
Счетчик импульсов в р-кодах Фибоначчи
(ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 1988-03-07)Изобретение может быть использовано для счета импульсов с представлением их количества в р-кодах Фибоначчи. -
Тепловізор на основі інфрачервоного сенсору з від'ємним диференційним опором
(ВНТУ, 2015)Тепловізор - прилад для вимірювання розподілу температури поверхонь безконтактним, візуальним способом. -
Вимірювання різниці фаз періодичних сигналів
(Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, 2016)Розроблено алгоритм обробки результатів вимірювання різниці фаз вимірювальних сигналів генераторних перетворювачів фізичних величин за умови нелінійності передатної характеристики, що викликає розширення їх спектрального складу. -
Радіовимірювальний мікроелектронний сенсор концентрації газу з частотним виходом
(Хмельницький національний університет, 2015)В роботі досліджено мікроелектронний сенсор концентрації газу, який представляє собою автогенераторну схему, що складається з двозатворного польового і біполярного транзисторів, в коло зворотного зв'язку автогенератора ... -
Оптико-електронний перетворювач сонячної енергії у частотний сигнал
(Харьковский национальньїй университет радиозлектроники, 2012)The optiko-electronic transducer of a solar energy in a frequency signal on the basis of bipolar and two gate MOSFET transistors which form oscillatory system which consists from the capacitive component transistor structure ... -
Мікроелектронний пристрій для визначення переміщення об'єктів
(ВНТУ, 2012)Мікроелектронний пристрій для визначення переміщення об'єкту є перспективним пристроєм мікроелектроніки та наносистем -
Радіовимірювальний мікроелектронний перетворювач тиску
(ВНТУ, 2012)Використання реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором для побудови частотних первинних вимірювальних перетворювачів є актуальним. -
Радіаційно-стимульовані процеси в кремнієвих транзисторних термосенсорах
(Одеський національний політехнічний університет, 2016)Серед усього різноманіття датчиків фізичних величин особливої уваги заслуговують сенсори температури. Вони працюють за різними фізичними принципами, виготовляються з різних матеріалів і можуть використовуватися у екстремальних ... -
Дослідження стану природно-заповідного фонду Козятинського району Вінницької області за методикою RAPPAM
(Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», 2011)Здійснено аналіз заповідних територій Козятинського району Вінницької області згідно методики експрес-оцінки природно-заповідного фонду, в тому числі оцінено їх біологічну та соціально-економічну важливість, вразливість, ... -
Експрес-оцінка стану природно-заповідного фонду Немирівського району Вінницької області
(ВНТУ, 2011)Здійснено аналіз заповідних територій Немирівського району Вінницької області згідно методики експрес-оцінки природно-заповідного фонду, в тому числі оцінено їх біологічну та соціально-економічну важливість, вразливість, ... -
Радіовимірювальний мікроелектронний перетворювач тиску
(ВНТУ, 2012)Проблема створення системи уніфікованих твердотільних перетворювачів з високими метрологічними характеристиками і вихідним сигналом, перетвореним у форму коду з незначними похибками дуже актуальна. Одним із закономірних ... -
Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання
(ВНТУ, 2005)У даній роботі представлені дослідження мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання на основі біполярного транзистора та польового транзистора з бар’єром Шотткі з чутливим елементом на основі фоторезистора. ... -
The transducer of pressure with the frequency output
(Севастопольский национальный технический университет, 2012)In the given article the possibility of making the transducer of pressure with a frequency output signal is shown on the basis of the autogenerating arrangement which will consist of bipolar transistor and MOSFET transistor. ...