• English
    • русский
    • українська
  • English 
    • English
    • русский
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури

Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Ільченко, Олена Миколаївна
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Ильченко, Елена Николаевна
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Ilchenko, Olena Mykolaivna
Date
2009-06-25
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем [614]
Abstract
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор та загальну шину. Введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги. МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази.
 
Микроэлектронный сенсор оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры содержит первый источник постоянного напряжения, МДП-фототранзистор, конденсатор, резистор и общую шину. Введен биполярный транзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения. МДП- фототранзистор исполнен с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы.
 
A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria.
 
A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria.
 
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1451
View/Open
42207.pdf (100.7Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by RL Igniter | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ