Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, Володимир Степановичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorІльченко, Олена Миколаївнаuk
dc.contributor.authorОсадчук, Владимир Степановичru
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorИльченко, Елена Николаевнаru
dc.contributor.authorOsadchuk, Volodymyr Stepanovychen
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.contributor.authorIlchenko, Olena Mykolaivnaen
dc.date.accessioned2015-07-15T11:04:38Z
dc.date.available2015-07-15T11:04:38Z
dc.date.issued2009-06-25
dc.identifier42207
dc.identifier.citationПат. 42207 UA, МПК H01L 27/00, G01J 1/44. Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко (Україна). - № u200900878 ; заявл. 06.02.2009 ; опубл. 26.06.2009, Бюл. № 12. - 3 с. : кресл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1451
dc.description.abstractМікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор та загальну шину. Введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги. МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази.uk
dc.description.abstractМикроэлектронный сенсор оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры содержит первый источник постоянного напряжения, МДП-фототранзистор, конденсатор, резистор и общую шину. Введен биполярный транзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения. МДП- фототранзистор исполнен с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы.ru
dc.description.abstractA microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria.en
dc.description.abstractA microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectH01L 27/00
dc.subjectG01J 1/44
dc.subjectконтрольно-вимірювальна технікаuk
dc.subjectоптичне випромінюванняuk
dc.subjectавтоматичне керування технологічними процесамиuk
dc.subjectH01L 27/00
dc.subjectG01J 1/44
dc.subjectмікроелектронний сенсорuk
dc.subjectтранзисторна фоточутлива структураuk
dc.titleМікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структуриuk
dc.title.alternativeМикроэлектронный измеритель оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структурыru
dc.title.alternativeMicroelectronic optical power meter based on transistor photosensitive structureen
dc.typePatent


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію