dc.contributor.author | Осадчук, Володимир Степанович | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Олександр Володимирович | uk |
dc.contributor.author | Ільченко, Олена Миколаївна | uk |
dc.contributor.author | Осадчук, Владимир Степанович | ru |
dc.contributor.author | Осадчук, Александр Владимирович | ru |
dc.contributor.author | Ильченко, Елена Николаевна | ru |
dc.contributor.author | Osadchuk, Volodymyr Stepanovych | en |
dc.contributor.author | Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych | en |
dc.contributor.author | Ilchenko, Olena Mykolaivna | en |
dc.date.accessioned | 2015-07-15T11:04:38Z | |
dc.date.available | 2015-07-15T11:04:38Z | |
dc.date.issued | 2009-06-25 | |
dc.identifier | 42207 | |
dc.identifier.citation | Пат. 42207 UA, МПК H01L 27/00, G01J 1/44. Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко (Україна). - № u200900878 ; заявл. 06.02.2009 ; опубл. 26.06.2009, Бюл. № 12. - 3 с. : кресл. | uk |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1451 | |
dc.description.abstract | Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор та загальну шину. Введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги. МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази. | uk |
dc.description.abstract | Микроэлектронный сенсор оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры содержит первый источник постоянного напряжения, МДП-фототранзистор, конденсатор, резистор и общую шину. Введен биполярный транзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения. МДП- фототранзистор исполнен с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы. | ru |
dc.description.abstract | A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria. | en |
dc.description.abstract | A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria. | en |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ) | uk |
dc.subject | H01L 27/00 | |
dc.subject | G01J 1/44 | |
dc.subject | контрольно-вимірювальна техніка | uk |
dc.subject | оптичне випромінювання | uk |
dc.subject | автоматичне керування технологічними процесами | uk |
dc.subject | H01L 27/00 | |
dc.subject | G01J 1/44 | |
dc.subject | мікроелектронний сенсор | uk |
dc.subject | транзисторна фоточутлива структура | uk |
dc.title | Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури | uk |
dc.title.alternative | Микроэлектронный измеритель оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры | ru |
dc.title.alternative | Microelectronic optical power meter based on transistor photosensitive structure | en |
dc.type | Patent | |