Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorФілинюк, М. А.uk
dc.contributor.authorЛіщинська, Л. Б.uk
dc.contributor.authorЛазарєв, О. О.uk
dc.contributor.authorТкачук, Я. С.uk
dc.contributor.authorФилинюк, Н. А.ru
dc.contributor.authorЛищинская, Л. Б.ru
dc.contributor.authorЛазарев, А. А.ru
dc.contributor.authorТкачук, Я. С.ru
dc.contributor.authorFilinyuk, M. A.en
dc.contributor.authorLishchynska, L. B.en
dc.contributor.authorLazarev, A. A.en
dc.contributor.authorTkachuk, Y. S.en
dc.date.accessioned2015-12-03T14:00:55Z
dc.date.available2015-12-03T14:00:55Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationДослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора [Текст] / Л. Б. Ліщинська, Я. С. Ткачук, О. О. Лазарєв, М. А. Філинюк // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технічні науки". - 2013. - № 4. - С. 158-163.uk_UA
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2457
dc.description.abstractМетою  дослідження  є  визначення  основних  параметрів  імітансних  кіл  багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено  залежності  критичних  точок  імітансного кола  конвертора імітансу в діапазоні перетворених імітансів омічного, ємнісного та індуктивного характеру. Показано, що багатопараметричні конвертори імітансу на основі польової транзисторної структури є перспективними елементами для реалізації на їх основі адаптивних генераторних давачів.uk
dc.description.abstractThe purpose of the study is to determine the basic parameters of multiparameter generalized immitance convertors immitance circles on the basis of FET. The research of the main immitance circle parameters for the immitance convertor was conducted in the range of converted resistive, capacitive and inductive immitances.   The research results proved that multiparameter immitance convertors on the basis of FET are perspective elements for adaptive oscillator sensors implementation.en
dc.description.abstractЦелью исследования является определение основных параметров иммитансних кругов многопараметрических обобщенных преобразователей иммитанса на основе полевого транзистора. Исследованы зависимости критических точек иммитансного круга конвертора иммитанса в диапазоне преобразованных иммитансов омического, емкостного и индуктивного характера. Показано, что многопараметрические конверторы иммитанса на основе полевой транзисторной структуры являются перспективными элементами для реализации на их основе адаптивных генераторных датчиков.ru
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.relation.ispartofseriesТехнічні науки
dc.subjectузагальнений перетворювач імітансуuk
dc.subjectімітансне колоuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectімітансuk
dc.subjectgeneralized immitance convertoren
dc.subjectimmitance circleen
dc.subjectfield-­effect transistoren
dc.subjectimmitanceen
dc.titleДослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистораuk
dc.title.alternativeThe research of the immitance circle parameters for two-parameter immitance convertor on the basis of field-effect transistoren
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.396


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію